STP11N60DM2
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Talep Fiyat & Kurşun Zaman
STP11N60DM2 mevcuttur, STP11N60DM2 temin edebilir, STP11N60DM2 pirce ve teslim süresi istemek için istek teklif formunu kullanabiliriz.Atosn.com profesyonel bir elektronik bileşen distribütörü.Büyük envanterimiz var ve hızlı teslimat yapabiliriz, bugün bizimle iletişime geçin ve satış temsilcimiz size fiyat ve parça # STP11N60DM2'daki gönderi ayrıntılarını sağlayacaktır. Ülkenize uygun gümrükleme sorunlarını dahil edin, Profesyonel satış ekibimiz varve teknik ekip, sizinle çalışmayı dört gözle bekliyoruz.
talep Alıntı
Ürün Paramters
- Id @ Vgs (th) (Max)
- 5V @ 250µA
- Vgs (Maks.)
- ±25V
- teknoloji
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-220
- Dizi
- MDmesh™ DM2
- Id, VGS @ rds On (Max)
- 420 mOhm @ 5A, 10V
- Güç Tüketimi (Max)
- 110W (Tc)
- paketleme
- Tube
- Paket / Kutu
- TO-220-3
- Diğer isimler
- 497-16932
- Çalışma sıcaklığı
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- bağlantı Tipi
- Through Hole
- Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Üretici Standart Teslimat Süresi
- 42 Weeks
- Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu
- Lead free / RoHS Compliant
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds
- 614pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
- 16.5nC @ 10V
- FET Tipi
- N-Channel
- FET Özelliği
- -
- Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı)
- 10V
- Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin)
- 600V
- Detaylı Açıklama
- N-Channel 600V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)
- 10A (Tc)
benzer ürünler
- STMicroelectronics STP11N60DM2
- STP11N60DM2 veri sayfası
- STP11N60DM2 veri sayfası
- STP11N60DM2 pdf veri sayfası
- STP11N60DM2 veri sayfasını indirin
- STP11N60DM2 resmi
- STP11N60DM2 parçası
- ST STP11N60DM2
- STMicroelectronics STP11N60DM2