Ev > Ürünler > Ayrı Yarıiletken Ürünler > Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli > STH180N10F3-2
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Talep Fiyat & Kurşun Zaman
STH180N10F3-2 mevcuttur, STH180N10F3-2 temin edebilir, STH180N10F3-2 pirce ve teslim süresi istemek için istek teklif formunu kullanabiliriz.Atosn.com profesyonel bir elektronik bileşen distribütörü.Büyük envanterimiz var ve hızlı teslimat yapabiliriz, bugün bizimle iletişime geçin ve satış temsilcimiz size fiyat ve parça # STH180N10F3-2'daki gönderi ayrıntılarını sağlayacaktır. Ülkenize uygun gümrükleme sorunlarını dahil edin, Profesyonel satış ekibimiz varve teknik ekip, sizinle çalışmayı dört gözle bekliyoruz.
talep Alıntı
Ürün Paramters
- Id @ Vgs (th) (Max)
- 4V @ 250µA
- Vgs (Maks.)
- ±20V
- teknoloji
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- H2Pak-2
- Dizi
- STripFET™ III
- Id, VGS @ rds On (Max)
- 4.5 mOhm @ 60A, 10V
- Güç Tüketimi (Max)
- 315W (Tc)
- paketleme
- Tape & Reel (TR)
- Paket / Kutu
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Diğer isimler
- 497-11216-2
STH180N10F32
- Çalışma sıcaklığı
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- bağlantı Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Üretici Standart Teslimat Süresi
- 38 Weeks
- Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu
- Lead free / RoHS Compliant
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds
- 6665pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
- 114.6nC @ 10V
- FET Tipi
- N-Channel
- FET Özelliği
- -
- Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı)
- 10V
- Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin)
- 100V
- Detaylı Açıklama
- N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
- Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)
- 180A (Tc)
benzer ürünler
- STMicroelectronics STH180N10F3-2
- STH180N10F3-2 veri sayfası
- STH180N10F3-2 veri sayfası
- STH180N10F3-2 pdf veri sayfası
- STH180N10F3-2 veri sayfasını indirin
- STH180N10F3-2 resmi
- STH180N10F3-2 parçası
- ST STH180N10F3-2
- STMicroelectronics STH180N10F3-2