STD155N3H6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Talep Fiyat & Kurşun Zaman
STD155N3H6 mevcuttur, STD155N3H6 temin edebilir, STD155N3H6 pirce ve teslim süresi istemek için istek teklif formunu kullanabiliriz.Atosn.com profesyonel bir elektronik bileşen distribütörü.Büyük envanterimiz var ve hızlı teslimat yapabiliriz, bugün bizimle iletişime geçin ve satış temsilcimiz size fiyat ve parça # STD155N3H6'daki gönderi ayrıntılarını sağlayacaktır. Ülkenize uygun gümrükleme sorunlarını dahil edin, Profesyonel satış ekibimiz varve teknik ekip, sizinle çalışmayı dört gözle bekliyoruz.
talep Alıntı
Ürün Paramters
- Id @ Vgs (th) (Max)
- 4V @ 250µA
- Vgs (Maks.)
- ±20V
- teknoloji
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- DPAK
- Dizi
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Id, VGS @ rds On (Max)
- 3 mOhm @ 40A, 10V
- Güç Tüketimi (Max)
- 110W (Tc)
- paketleme
- Cut Tape (CT)
- Paket / Kutu
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Diğer isimler
- 497-11307-1
- Çalışma sıcaklığı
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- bağlantı Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu
- Lead free / RoHS Compliant
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds
- 3650pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
- 62nC @ 10V
- FET Tipi
- N-Channel
- FET Özelliği
- -
- Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı)
- 10V
- Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin)
- 30V
- Detaylı Açıklama
- N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
- Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)
- 80A (Tc)
benzer ürünler
- STMicroelectronics STD155N3H6
- STD155N3H6 veri sayfası
- STD155N3H6 veri sayfası
- STD155N3H6 pdf veri sayfası
- STD155N3H6 veri sayfasını indirin
- STD155N3H6 resmi
- STD155N3H6 parçası
- ST STD155N3H6
- STMicroelectronics STD155N3H6