STD11NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Talep Fiyat & Kurşun Zaman
STD11NM60ND mevcuttur, STD11NM60ND temin edebilir, STD11NM60ND pirce ve teslim süresi istemek için istek teklif formunu kullanabiliriz.Atosn.com profesyonel bir elektronik bileşen distribütörü.Büyük envanterimiz var ve hızlı teslimat yapabiliriz, bugün bizimle iletişime geçin ve satış temsilcimiz size fiyat ve parça # STD11NM60ND'daki gönderi ayrıntılarını sağlayacaktır. Ülkenize uygun gümrükleme sorunlarını dahil edin, Profesyonel satış ekibimiz varve teknik ekip, sizinle çalışmayı dört gözle bekliyoruz.
talep Alıntı
Ürün Paramters
- Id @ Vgs (th) (Max)
- 5V @ 250µA
- Vgs (Maks.)
- ±25V
- teknoloji
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- DPAK
- Dizi
- FDmesh™ II
- Id, VGS @ rds On (Max)
- 450 mOhm @ 5A, 10V
- Güç Tüketimi (Max)
- 90W (Tc)
- paketleme
- Tape & Reel (TR)
- Paket / Kutu
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Diğer isimler
- 497-8477-2
- Çalışma sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- bağlantı Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu
- Lead free / RoHS Compliant
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds
- 850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- FET Tipi
- N-Channel
- FET Özelliği
- -
- Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı)
- 10V
- Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin)
- 600V
- Detaylı Açıklama
- N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
- Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)
- 10A (Tc)
benzer ürünler
- STMicroelectronics STD11NM60ND
- STD11NM60ND veri sayfası
- STD11NM60ND veri sayfası
- STD11NM60ND pdf veri sayfası
- STD11NM60ND veri sayfasını indirin
- STD11NM60ND resmi
- STD11NM60ND parçası
- ST STD11NM60ND
- STMicroelectronics STD11NM60ND