STD9HN65M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Talep Fiyat & Kurşun Zaman
STD9HN65M2 mevcuttur, STD9HN65M2 temin edebilir, STD9HN65M2 pirce ve teslim süresi istemek için istek teklif formunu kullanabiliriz.Atosn.com profesyonel bir elektronik bileşen distribütörü.Büyük envanterimiz var ve hızlı teslimat yapabiliriz, bugün bizimle iletişime geçin ve satış temsilcimiz size fiyat ve parça # STD9HN65M2'daki gönderi ayrıntılarını sağlayacaktır. Ülkenize uygun gümrükleme sorunlarını dahil edin, Profesyonel satış ekibimiz varve teknik ekip, sizinle çalışmayı dört gözle bekliyoruz.
talep Alıntı
Ürün Paramters
- Id @ Vgs (th) (Max)
- 4V @ 250µA
- Vgs (Maks.)
- ±25V
- teknoloji
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- DPAK
- Dizi
- MDmesh™ M2
- Id, VGS @ rds On (Max)
- 820 mOhm @ 2.5A, 10V
- Güç Tüketimi (Max)
- 60W (Tc)
- paketleme
- Tape & Reel (TR)
- Paket / Kutu
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Diğer isimler
- 497-16036-2
- Çalışma sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- bağlantı Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu
- Lead free / RoHS Compliant
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds
- 325pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
- 11.5nC @ 10V
- FET Tipi
- N-Channel
- FET Özelliği
- -
- Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı)
- 10V
- Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin)
- 650V
- Detaylı Açıklama
- N-Channel 650V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
- Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)
- 5.5A (Tc)
benzer ürünler
- STMicroelectronics STD9HN65M2
- STD9HN65M2 veri sayfası
- STD9HN65M2 veri sayfası
- STD9HN65M2 pdf veri sayfası
- STD9HN65M2 veri sayfasını indirin
- STD9HN65M2 resmi
- STD9HN65M2 parçası
- ST STD9HN65M2
- STMicroelectronics STD9HN65M2